dr4相比ddr3的区别有三点:16bit预取机制(ddr3为8bit),同样内核频率下理论速度是ddr3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2v,更节能。ddr4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于udimm类型,容量为2gb,运行电压只有1.2v,工作频率为2133mhz,而且凭借新的电路架构可以达到3200mhz。相比之下,ddr3内存的标准频率仅为1600mhz,运行电压一般为1.5v,节能版也有1.35v。仅此一点,ddr4内存就可以节能最多40%。根据此前的规划,ddr4内存频率就可能高达4266mhz,电压则有可能降至1.1v乃至1.05v。三星表示,这条ddr4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“pseudoopendrain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有ddr3内存的一半。2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种ddr4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助jedec组织在2011年下半年完成ddr4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。