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功率模块 电源模块 可控硅/igbt模块
上海总代理，三菱igbt模块金牌代理商
上海瑞天自动化设备有限公司
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mdk710-22n1 mdk710-24n1 mdk710-26n1 mdk810-12n1 mdk810-14n1 mdk810-16n1 mdk810-18n190mt80kb 91mt100k 91mt100kb 91mt120k 91mt120kb 91mt140k 91mt140kbsw18hhr380 sw18phn320 sw18phn380 sw18phr320 sw18phr320 sw18phr380 sw18phr380a50l-0001-0330 a50l-0001-0331 a50l-0001-0332 a50l-0001-0333 a50l-0001-0335 a50l-0001-0336 a50l-0001-0337pdt40016 pdt4008 pdt6012 pdt6016 pdt6016c pdt608 pe1008nskkt72/22e skkt92/08e skkt92/12e skkt92/14e skkt92/16 skkt92/16e skkt92/18evuo70-08no7 vuo70-12no7 vuo70-14no7 vuo70-16no7 vuo70-18no7 vuo80-08no1 vuo80-12no1选择 (2)控制电路、检测电路本身异常，如检测电路的基准电压飘移，导致保护动作起控点变化，起不到应有的保护作用。2．在世界上首次实现＋150℃的工作保证温度，为逆变器的小型化做贡献dim800fsm12-a dim800fsm17-a dim800jsm33-a dim800nsm33-f dim900esm45-f dm1200fsm17-a dp10d1200mbm100ht120 mbm100ht12h mbm100js6a mbm100js6aw mbm150bs6 mbm150f12a mbm150gr12gdm21220 gdm21230 gm100dy-24 gm200dy-24 gm300dy-24 has015yd-a has015zd-avi-2n3-cx vi-2n3-cy vi-2n3-cz vi-2n3-eu vi-2n3-ev vi-2n3-ew vi-2n3-ex① 结构灵活 在最大允许运行结温tjop和给定的壳温tc条件下,结到壳的热阻将会限制igbt和二极管所允许的功率损耗。不同壳温的设计,会得到不同的最大功率损耗,由于结温纹波,功率限制也会随着输出频率的变化而改变。输出频率越低,允许的功率损耗就越小。cs612016b cs612216b cs640525 cs641230 cs8f-1000 cs8f-1200 cs8f-1500mdo500-18n1 mdo500-18n1 mdo500-20n1 mdo500-20n1 mdo500-22n1 mdo500-22n1 mdr100a30vi-b1w-cv vi-b1w-cw vi-b1w-eu vi-b1w-ev vi-b1w-ew vi-b1w-iu vi-b1w-ivvi-21f-ex vi-21f-ey vi-21f-ez vi-21f-iu vi-21f-iv vi-21f-iw vi-21f-ixvi-j2j-ix vi-j2j-iy vi-j2j-iz vi-j2k-cw vi-j2k-cx vi-j2k-cy vi-j2k-cz（7） 更换元件不得带电操作；目前，三菱电机正在逐步推出新一代的j1-series汽车级功率模块ev pm，j1-series汽车级功率模块不仅沿袭了j-series t-pm的显著优点如直接主端子绑定结构(dlb)、硅片级温度传感器和电流传感器，而且采用更低损耗的第7代cstbttm硅片技术，使效率更高;同时采用6in1的 pin-fin结构，使得封装尺寸减少40%，导热性能提高30%，具有更高的功率密度，更便于冷却及散热器安装，提升产品的性能价格比。vi-253-ex vi-253-ey vi-253-ez vi-253-iu vi-253-iv vi-253-iw vi-253-ixtd131n16 td162n08 td162n12 td162n16 td210n08 td210n12 td210n16vi-22d-ew vi-22d-ex vi-22d-ey vi-22d-ez vi-22d-iu vi-22d-iv vi-22d-iwvkp60mt312-8 vkp60mt512-8 vlt40-3203 vmk90-02t2 vmm380-02f vmm600-007f vmm650-01fmg200h1fl1a mg200h2ck1 mg200h2cl1 mg200h2cl2 mg200h2ys1 mg200j2ys2 mg200j2ys2 (2)蚀刻模块单元的微细化技术vi-24v-eu vi-24v-ev vi-24v-ew vi-24v-ex vi-24v-ey vi-24v-ez vi-24v-iu 例：多晶硅750v直流斩波输入电源cm430890 cm4308a2 cm431255 cm431290 cm4312a2 cm431655 cm431690vi-bnt-cw vi-bnt-eu vi-bnt-ev vi-bnt-ew vi-bnt-iu vi-bnt-iv vi-bnt-iwga75ls120k ga75ls60u ga75ts120k ga75ts120u ga75ts120upbf ga75ts60u ga800dd60uvi-jnm-ez vi-jnm-iw vi-jnm-ix vi-jnm-iy vi-jnm-iz vi-jnn-cw vi-jnn-cx 在模块中选用降低正向电压(vf)的二极管器件，据测试在600v和1200v系列中，逆变器载波频率为10khz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。cd430840a cd430840b cd430860 cd430860a cd430860b cd430890 cd430890askn3000/22 skn3000/26 skn3000/28 skn3000/32 skn3000/36 skn320/02 skn320/04fp15r12w1t4-b3 fp15r12yt3 fp25r12ke3 fp25r12ks4c fp25r12kt3 fp25r12w2t4 fp30r06ke3pd70fg80 pd7m440h pd7m440l pd7m441h pd7m441l pd800a-230-28 pd800a-230-30/po1vhf28-12io5 vhf28-14io5 vhf28-16io5 vhf28-16io5 vhf36-08io5 vhf36-12io5 vhf36-14io5mcc132-12io1 mcc132-14io1 mcc132-16io1 mcc132-18io1 mcc161-20io1 mcc161-22io1 mcc162-08io1has020ye-a has020ze-a has030yd-a has030yg-a has030yh-a has030yj-a has030zd-aptmb150a6 ptmb150a6c ptmb50a6 ptmb50a6c ptmb50b12 ptmb50b12c ptmb75a6vi-j23-iz vi-j24-cw vi-j24-cx vi-j24-cy vi-j24-cz vi-j24-ew vi-j24-ex 1、主电路拓扑结构为buck电路，双管igbt的其中一只当igbt使用,另一只仅用其续流二极管;mg100q1zs40 mg100q1zs50 mg100q2yk1 mg100q2ys1 mg100q2ys11 mg100q2ys40 mg100q2ys42pe200gb40 pe200gb80 pe200hb120 pe200hb160 pe250gb40 pe250gb80 pe250hb120vi-2nk-ew vi-2nk-ex vi-2nk-ey vi-2nk-ez vi-2nk-iu vi-2nk-iv vi-2nk-iwvi-j2l-ey vi-j2l-ez vi-j2l-iw vi-j2l-ix vi-j2l-iy vi-j2l-iz vi-j2m-cw 自igbt商业化应用以来，作为新型功率半导体器件的主型器件，igbt在1—100khz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为600v—6500v，电流范围为1a—3600a。中国igbt市场竞争格局? ③ 范围广vi-25v-eu vi-25v-ev vi-25v-ew vi-25v-ex vi-25v-ey vi-25v-ez vi-25v-iuvi-2wf-cx vi-2wf-cy vi-2wf-cz vi-2wf-eu vi-2wf-ev vi-2wf-ew vi-2wf-exqm30tb-24，vi-bwm-cw，vi-24k-ev，vi-24d-ix
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